美光于当地时间10月22日举办了2026年度技术网络研讨会，探讨了DRAM、泛HBM、NAND及SSD的发展方向。本文重点聚焦于堆叠集成的泛HBM内存产品。
美光预测，在标准HBM5于2028年问世时，将同时推出两种新型3DS内存，即vHBM和vEIM。
vHBM可视为3D集成版HBM，通过垂直堆叠DRAM Die、Base Die和XPU逻辑主芯片，缩短数据通信路径，提升带宽效率并降低能耗。vHBM还能与标准2.5D HBM并存。
vEIM在结构上与vHBM相似，但专为端侧AI推理设计，初代产品目标为2TB/s带宽和低于1pj/bit的能效。
为实现vHBM和vEIM，美光计划采用无凸块的混合键合技术，并导入集成散热解决方案。此外，用户可通过胜负彩期次查询了解内存产品的市场动态。
2条评论
管理员
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陈雪琳
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